이온빔 에칭기의 기술 사양

1. 에칭 챔버의 최종 진공도: 9.0×10-5Pa 이하;
2. 에칭 재료: 실리콘, 석영, III.-V 화합물, 세라믹 및 각종 금속, 비금속 경질 필름 등;
3. 에칭 속도: 10nm ~ 200nm/min 이상(특정 에칭 재료 및 프로세스에 따라 다름)
4. 이온 소스: Φ150mm 직경 원형 DC 이온 소스;
5. Ar+ 이온 에너지 범위: 100~1000eV;
6. 이온빔 밀도: 0~1mA/cm2.